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PTD20N06
60V/20A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关。 100%雪崩测试。 允许在最高结温下进行重复雪崩。 无铅，符合RoHS标准。 VDS = 60V，ID = 20A。 RDS(ON) < 30mΩ（VGS = 10V时）。 RDS(ON) < 40mΩ（VGS = 4.5V时）
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD20N06
- 商品编号
- C48782975
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 最高至Tjmax允许重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- VDS = 60 V,ID = 20 A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 30 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) < 40 mΩ
- TO-252-2L
应用领域
-高端负载开关-电池开关-针对便携式产品的电源管理应用进行优化,如模型、移动电源、无刷电机、主板等