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PT3416
20V/6A N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。 ESD 等级：2000V HBM。应用：低开关。 PWM 应用
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PT3416
- 商品编号
- C48783013
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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