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TP65H050G4WS
采用第四代SuperGaN平台的常关型氮化镓场效应晶体管，TO-247封装
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- TP65H050G4WS
- 商品编号
- C48782924
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 耗散功率(Pd) | 119W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
商品概述
TP65H050G4WS是一款650V、50 mΩ的氮化镓场效应晶体管，采用常关型设计，基于瑞萨电子的第四代技术平台。该器件将先进的高压氮化镓高电子迁移率晶体管与低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管相结合，以提供卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台采用先进的外延技术和专利设计，简化了可制造性，同时通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，实现了相较于硅基器件的效率提升。
商品特性
- 符合JEDEC标准的氮化镓技术
- 生产测试动态导通电阻
- 鲁棒性设计，定义包括宽栅极安全裕度和瞬态过压能力
- 增强的浪涌电流能力
- 极低的反向恢复电荷
- 降低的交叉损耗
应用领域
- 数据通信
- 广泛的工业领域
- 光伏逆变器
- 伺服电机