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PTD15N10
100V/15A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：N沟道，5V逻辑电平控制。 增强模式。 极低导通电阻，VDS = 4.5V。 快速开关。 100%雪崩测试。 无铅引脚电镀，符合RoHS标准
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD15N10
- 商品编号
- C48783014
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 525pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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