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TP65H070G4PS
氮化镓场效应晶体管，常关型器件，结合氮化镓高电子迁移率晶体管和硅金属氧化物半导体场效应晶体管技术，采用第四代超级氮化镓平台，实现低损耗和高效率。
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- TP65H070G4PS
- 商品编号
- C48782918
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 638pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 72pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |
商品概述
TP65H070G4PS 是一款 650V、72mΩ 常关型氮化镓场效应晶体管。它集成了先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供了卓越的可靠性和性能。第四代 SuperGaN 平台采用先进的 epitaxy 和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过更低的栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，实现了比硅基方案更高的效率。
商品特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 生产测试动态 RDS(on)eff
- 稳健的设计，体现为宽栅极安全裕度和瞬态过压能力
- 极低的 QRR
- 降低的交越损耗
- 符合 RoHS 标准且无卤素的封装
应用领域
- 数据通信
- 广泛的工业应用
- 光伏逆变器
- 伺服电机
- 计算
- 消费电子