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TP65H070G4LSGB-TR
常闭氮化镓场效应晶体管，结合高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术，提供高可靠性和高性能
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- TP65H070G4LSGB-TR
- 商品编号
- C48782923
- 商品封装
- PQFN-8(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 5.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 74pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ |
商品概述
TP65H070G4LSGB 是一款 650V、72mΩ 常关型氮化镓场效应晶体管。它集成了先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供了卓越的可靠性和性能。第四代 SuperGaN 平台采用先进的 epitaxial 和专利设计技术，通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷，简化了可制造性并提升了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 动态导通电阻经过生产测试
- 稳健的设计，具体表现为宽栅极安全裕度和瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷
- 降低的交叉损耗
- 符合 RoHS 标准且无卤素封装
应用领域
- 数据通信
- 广泛工业应用
- 光伏逆变器
- 伺服电机
- 消费电子