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TP65H150G4PS
氮化镓场效应晶体管，常闭型，结合GaN HEMT和硅MOSFET技术
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- TP65H150G4PS
- 商品编号
- C48782921
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 598pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ |
商品概述
TP65H150G4PS 是一款 650V、150mΩ 的氮化镓场效应晶体管，属于常关型器件。它融合了先进的高压 GaN HEMT 技术与低压硅 MOSFET 技术，从而提供了卓越的可靠性和性能。第四代 SuperGaN 平台采用先进的 epitaxy 工艺和专利设计技术，简化了可制造性，同时通过更低的栅极电荷、输出电容、开关交叠损耗和反向恢复电荷，实现了比硅基方案更高的效率。
商品特性
- 第四代技术
- 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
- 生产测试动态导通电阻
- 稳健的设计，体现在宽栅极安全裕度和瞬态过压能力
- 极低的反向恢复电荷
- 降低的开关交叠损耗
- 符合 RoHS 标准且采用无卤素封装
应用领域
- 消费电子
- 电源适配器
- 低功率开关电源
- 照明