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PTN30P03
-30V/-30A P沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：-4.5V逻辑电平控制。PDFN333 SMD封装。应用：高端负载开关。电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTN30P03
- 商品编号
- C48782986
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V；9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 313pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 324pF |
商品特性
- 4.5V逻辑电平控制
- PDFN3333 SMD封装
应用领域
- 高端负载开关
- 电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化,如航模、移动电源、无刷电机、主板等