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PTH03N10
100V/3A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：改善了dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围 (150℃)。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTH03N10
- 商品编号
- C48783012
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.213215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 92mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF |
商品特性
- 改进的 dv/dt 能力,高耐用性
- 最高结温范围(150°C)
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理
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