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PTN25C03
N和P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on)，在栅源电压VGS = 5V时。 5V逻辑电平控制。 N+P双沟道。 PDFN5X6-8L封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：DC风扇。 无刷电机
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTN25C03
- 商品编号
- C48783010
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@5V；18mΩ@4.5V；13mΩ@10V；26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V；12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF；3.98nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF；113pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 197pF；450pF |
优惠活动
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