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PTY12HG08
85V/120A N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：N-channel, normal level。 非常低的导通电阻RDS(on)。应用：工业电源。 升压转换器
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTY12HG08
- 商品编号
- C48782989
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.03375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 694pF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低导通电阻RDS(on)
应用领域
- 工业电源
- 升压转换器
- 整流器
- 电信
- 电池管理系统