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PTS30P07
-30V P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTS30P07
- 商品编号
- C48782991
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@4.5V；25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 495pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 671pF |
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