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PGT10N027
100V/200A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：改善的dv/dt能力，高耐用性。 最大结温范围175℃。 100%雪崩测试。应用：电池管理。 不间断电源（UPS）
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PGT10N027
- 商品编号
- C48782995
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 109nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.338nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 729pF |
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