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PTD50N06
60V/50A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 采用沟槽工艺技术，实现极低导通电阻。该设计的其他特性包括可在高结温下工作、开关速度快以及提高了重复雪崩额定值。这些特性结合在一起，使该设计成为电机应用和其他各种应用中极其高效可靠的器件。
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD50N06
- 商品编号
- C48782987
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品概述
PTD50N06采用沟槽工艺技术设计,可实现极低的导通电阻。该设计的其他特性包括可在高结温下工作、开关速度快以及重复雪崩额定值得到提升。这些特性相结合,使该设计成为电机应用及其他各种应用中极为高效且可靠的器件。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 在最高结温Tj下允许重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-电源管理-PWM应用