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PTD80N06
60V/80A N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：60V/80A，导通电阻RDS(ON)=6.3mΩ（VGS=10V时）。 提供无铅和环保器件。 低导通电阻，以最小化传导损耗。 高雪崩电流。 100%经过雪崩测试。应用：电源。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD80N06
- 商品编号
- C48782976
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
优惠活动
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起订量：5 个2500个/圆盘
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