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2301F
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：PWM应用。 负载开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- 2301F
- 商品编号
- C48782980
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 106mΩ@2.5V；71mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 176pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
PT8810A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它具备静电放电（ESD）保护功能。该器件采用共漏极配置，适用于用作单向或双向负载开关。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关