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PTD3004
30V/50A N沟道高级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)）。 5V逻辑电平控制。 TO-252贴片封装。应用：高端负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD3004
- 商品编号
- C48782982
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
商品特性
- 低导通电阻(RDS(on))
- 5V逻辑电平控制
- TO-252贴片封装
应用领域
- 高端负载开关
- 电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化,如航模、移动电源、无刷电机、主板等