商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 531pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 91pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±8V |
商品特性
- 每个器件独立引脚布局,便于电路设计
- 高电流肖特基二极管
- 集成MOSFET和肖特基势垒二极管
应用领域
-针对手机、数码相机、媒体播放器等便携式应用进行优化-DC-DC降压电路-锂离子电池应用-彩色显示屏和相机闪光灯稳压器