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PTD15N10G
100V/15A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：N-Channel, 5V Logic Level Control。增强模式。极低导通电阻 @ VGS = 4.5V。快速开关。100% 雪崩测试
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD15N10G
- 商品编号
- C48782968
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 207pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83pF |
商品特性
- N沟道、5V逻辑电平控制
- 增强型
- 在VGS = 4.5 V时导通电阻极低
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- TO-252
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关