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PTD3080B
30V/80A N沟道先进功率MOSFET
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- 描述
- 特性：最大结温范围：150℃。 100%雪崩测试。应用：高端负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTD3080B
- 商品编号
- C48782955
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 49W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品特性
- 最大结温范围(150°C)
- 100%雪崩测试
应用领域
- 高端负载开关
- 电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化,如航模、移动电源、无刷电机、主板等