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PTS4614
N沟道和P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on)，VGS = 5V。 5V逻辑电平控制。 N+P双通道SOP8封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：高端负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PTS4614
- 商品编号
- C48782950
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 栅源电压 (VGS) = 5V 时，导通状态漏源电阻 (RDS(on)) 低
- 5V 逻辑电平控制
- N+P 双通道 SOP8 封装
- 无铅，符合 RoHS 标准
应用领域
- 高端负载开关
- 电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化，如无线充电器、媒体平板电脑、便携式媒体播放器 (PMP)、数码相机 (DSC)、全球定位系统 (GPS) 等