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WTM08N80AD
800V N沟道超结MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 800V 连续漏极电流(Id): 8A 功率(Pd): 29W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 670mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@280uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM08N80AD
- 商品编号
- C48642335
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@280uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 718pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17.3pF |
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