温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WTM20N65VMP
20A、650V N沟道功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥拓扑的高效开关电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N65VMP
- 商品编号
- C48642350
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.523333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单