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WTM20N65VMP
20A、650V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥拓扑的高效开关电源和有源功率因数校正。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N65VMP
- 商品编号
- C48642350
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.523333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 113.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 20A、670V,在VGS = 10 V时,RDS(on) = 350mΩ
- 低栅极电荷(典型值40nC)
- 低Crss(典型值5.7pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力