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WTM20N65FMP
650V N沟道 Multi-EPI 超结MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 36W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1.7mA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N65FMP
- 商品编号
- C48642353
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.613333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1.7mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 20A、650V（@ T_J,max），RDS(on) = 160 mΩ（@ VGS = 10V）
- 低栅极电荷（典型值Qg = 33.5nC）
- 高耐用性
- 超快开关速度
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力