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WTM90N65FMP
MOSFET硅N沟道MOS管
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 90A 功率(Pd): 500W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 35mΩ@10V,28A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM90N65FMP
- 商品编号
- C48642354
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.033nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 169pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.031Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 3 至 5 V
应用领域
- 适用于软开关升压 PFC 开关、半桥(HB)、有源半桥(AHB)或 LLC 半桥和全桥拓扑。
- 如移相桥(ZVS)、LLC 应用服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器。
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