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WTM12N65VF
670V N沟道MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 670V 连续漏极电流(Id): 12A 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 760mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM12N65VF
- 商品编号
- C48642351
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.616667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 670V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 615mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.183nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 12A、670V,VGS = 10V时,RDS(导通) = 0.615Ω
- 低栅极电荷(典型值26nC)
- 低Crss(典型值4.4pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力