温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WTM30N65AP
650V N沟道超结MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 30A 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,10.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1100uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N65AP
- 商品编号
- C48642347
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.73克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1.1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单