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WTM30N65AP
650V N沟道超结MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 30A 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,10.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1100uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N65AP
- 商品编号
- C48642347
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.73克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.84nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 61pF |
商品概述
ESN7534是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN7534为无铅产品。
商品特性
- 漏源击穿电压(BV\textDSS) = 650V,漏极电流(ID) = 30A
- 导通电阻(RDS(on)):0.130 Ω(最大值),栅源电压(V\textGS) = 10V
- 极低的品质因数(FOM)(RDS(on) x Qg)
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 100%雪崩测试
- 内置静电放电(ESD)二极管
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 功率因数校正(PFC)
- 交流转直流转换器
- 电信、太阳能