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WTM40N65AP
650V N沟道 Multi-EPI 超结MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 40A 功率(Pd): 43W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,15.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1.7mA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM40N65AP
- 商品编号
- C48642348
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.734克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.27nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术制造。 这项先进技术经过专门设计，旨在将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 40A、650V,VGS = 0 V时RDS(on) = 78mΩ
- 低栅极电荷(典型值Qg = 52nC)
- 超高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力