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WTM22N65AP
650V、22A MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 22A 功率(Pd): 150W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 170mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM22N65AP
- 商品编号
- C48642345
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.696克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.724nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品特性
- 漏源击穿电压（BVDSS） = 650 V，漏极电流（ ID） = 22 A
- 漏源导通电阻（RDS(on)）：0.17 Ω（最大值），栅源电压（VGS） = 10 V
- 品质因数（FOM）RDS(on) × Q_g极低
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)