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WTM25N65VMP
25A、650V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 25A 功率(Pd): 104W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 400mΩ@10V,12.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM25N65VMP
- 商品编号
- C48642340
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.184nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 284pF |
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