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WTM30N65FF
650V N沟道 Multi-EPI 超结MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 192W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 137mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N65FF
- 商品编号
- C48642344
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 137mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.072nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 101pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 650V @ Ti = 150°C
- 30A、650V,RDS(on)典型值 = 121 mΩ @ VGS = 10V
- 低栅极电荷(典型值Qg = 46nC)
- 高耐用性
- 超快开关速度
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力