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WTM18N20VD
18A、200V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 18A 功率(Pd): 62.5W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM18N20VD
- 商品编号
- C48642336
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 154pF |
商品概述
WTM18N20VP/VD 是一款高压功率 MOSFET，具备更优特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 0.2 Ω @ VGS=10V，ID=9A
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的 dv/dt 能力，高抗扰性