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WTM40N50VMP

500V N沟道平面MOSFET

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描述
N沟道 漏源电压(Vdss): 500V 连续漏极电流(Id): 40A 功率(Pd): 540W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 100mΩ@10V,23A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
品牌名称
WPMtek(维攀)
商品型号
WTM40N50VMP
商品编号
C48642339
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.536667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))100mΩ@10V
耗散功率(Pd)540W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)138nC@10V
输入电容(Ciss)6.8nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)700pF

商品特性

  • 先进平面工艺
  • RDS(ON),典型值 = 85 mΩ(VGS = 10 V 时)
  • 低栅极电荷,可将开关损耗降至最低
  • 坚固的多晶硅栅极结构

应用领域

  • 无刷直流电机驱动器
  • 电焊机
  • 高效开关电源

数据手册PDF