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WTM30N20VMP
30A、200V N沟道功率MOSFET
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 178W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N20VMP
- 商品编号
- C48642338
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.52克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.725nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 232pF |
商品概述
WTM30N20VP/VMP是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优异的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高稳健的雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 当VGS = 10V、ID = 18A时，RDS(ON) < 0.075 Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善了dv/dt能力，具有高稳健性