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BSS169H6327-VB
N沟道；电压：100V；电流：0.26A；导通电阻：2800(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；100V；0.26A；RDS(ON)=2800(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS169H6327-VB
- 商品编号
- C47993885
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 低阈值:2 V(典型值)
- 低输入电容:25 pF
- 快速开关速度:25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- N沟道MOSFET
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