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DMG2305UX-13-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-5A；导通电阻：34(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；P—Channel沟道；-20V；-5A；RDS(ON)=34(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±12V；Vth=-0.6V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMG2305UX-13-VB
- 商品编号
- C47993889
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻新型封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
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