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DMN2056U-7-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN2056U-7-VB

N沟道;电压:20V;电流:6A;导通电阻:28(mΩ)

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描述
台积电流片,长电科技封装;SOT23-3;N—Channel沟道;20V;6A;RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V;VGS=±12V;Vth=0.5~1.5V;采用Trench技术;
商品型号
DMN2056U-7-VB
商品编号
C47993892
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.015克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))39mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)865pF
反向传输电容(Crss)55pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)105pF

商品特性

  • SGT技术功率MOSFET
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 最高结温150°C
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 电源-不间断电源-交流/直流开关电源-照明-同步整流-直流/直流转换器-电机驱动开关-直流/交流逆变器-太阳能微型逆变器-D类音频放大器

数据手册PDF