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DMN2056U-7-VB
N沟道；电压：20V；电流：6A；导通电阻：28(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-3；N—Channel沟道；20V；6A；RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V；VGS=±12V；Vth=0.5~1.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMN2056U-7-VB
- 商品编号
- C47993892
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
-DC/DC 转换器-便携式应用的负载开关
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