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FDS6690A-VB
N沟道；电压：30V；电流：13A；导通电阻：8(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOP8；N—Channel沟道；30V；13A；RDS(ON)=8(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDS6690A-VB
- 商品编号
- C47993912
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装，尺寸小，高度低至1.07 mm
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-适配器开关-笔记本电脑
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