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BSC072N08NS5-VB
N沟道；电压：85V；电流：80A；导通电阻：4.5(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道；85V；80A；RDS(ON)=4.5(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用SGT技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSC072N08NS5-VB
- 商品编号
- C47993925
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 低导通电阻：2.5 Ω
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- 低失调电压
- 低电压工作
- 无需缓冲器即可轻松驱动
- 高速电路
- 低误差电压
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器