温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFS4410ZTRL-VB
N沟道 耐压:100V 电流:140A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；140A；RDS(ON)=4(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=3V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFS4410ZTRL-VB
- 商品编号
- C47993929
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 高端开关
- 低导通电阻：3 Ω
- 低阈值：-2 V（典型值）
- 快速开关速度：20 ns（典型值）
- 低输入电容：20 pF（典型值）
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- P 沟道 MOSFET