温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF9520S-VB
P沟道；电压：-100V；电流：-12A；导通电阻：200(mΩ)
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-100V；-12A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9520S-VB
- 商品编号
- C47993945
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V；220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.765nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
相似推荐
其他推荐
- STP100N10F7-VB
- NVBGS4D1N15MC-VB
- NTTFS4H05NTAG-VB
- PSMN016-100BS-VB
- IXTY02N50D-VB
- NTB7D3N15MC-VB
- PSMN013-100PS-VB
- NTTFS1D8N02P1E-VB
- FDMC86160-VB
- FDB0630N1507L-VB
- FDME910PZT-VB
- SIHF9520S-GE3-VB
- AONS62920-VB
- FDP4D5N10C-VB
- CSD19532KTT-VB
- NTMFS6B03NT1G-VB
- NTMFS6B14NT3G-VB
- STL130N8F7-VB
- DMN22M5UFG-13-VB
- FDP8D5N10C-VB
- IXTP160N10T-VB