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NTTFS1D8N02P1E-VB实物图
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NTTFS1D8N02P1E-VB

N沟道；电压：20V；电流：100A；导通电阻：2(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；20V；100A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=0.6V；采用Trench技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NTTFS1D8N02P1E-VB
商品编号
C47993953
商品封装
DFN3x3-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.29克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)250W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)123nC@10V
输入电容(Ciss)6.5nF
反向传输电容(Crss)970pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.725nF

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