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DMN22M5UFG-13-VB
N沟道；电压：20V；电流：100A；导通电阻：2(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；20V；100A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=0.6V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- DMN22M5UFG-13-VB
- 商品编号
- C47993964
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
商品特性
~~- 结温175°C-SGT技术功率MOSFET-符合RoHS标准-N沟道MOSFET
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