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RD3P130SPTL1-VB实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RD3P130SPTL1-VB

P沟道;电压:-100V;电流:-8.8A;导通电阻:250(mΩ)

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描述
台积电流片,长电科技封装;TO252;P—Channel沟道;-100V;-8.8A;RDS(ON)=250(mΩ)@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=-2V;采用Trench技术;
商品型号
RD3P130SPTL1-VB
商品编号
C47993983
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.62克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)8.8A
导通电阻(RDS(on))280mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)34.8nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.055nF
反向传输电容(Crss)41pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)65pF

数据手册PDF