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IRF9520STRLPBF-VB实物图
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IRF9520STRLPBF-VB

P沟道；电压：-100V；电流：-12A；导通电阻：200(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；TO263；P—Channel沟道；-100V；-12A；RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=-2V；采用Trench技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF9520STRLPBF-VB
商品编号
C47993996
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
1.88克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on))240mΩ@4.5V；220mΩ@10V
耗散功率(Pd)50.7W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)67nC@10V
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

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