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ZXMN6A25KTC-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ZXMN6A25KTC-VB

N沟道；电压：60V；电流：18A；导通电阻：73(mΩ)

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描述
台积电流片，长电科技封装；TO252；N—Channel沟道；60V；18A；RDS(ON)=73(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=1.7V；采用Trench技术；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
ZXMN6A25KTC-VB
商品编号
C47994015
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.61克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)41.7W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@0V
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)85pF

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