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AOB1100L-VB
N沟道；电压：100V；电流：100A；导通电阻：10(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO263；N—Channel沟道；100V；100A；RDS(ON)=10(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AOB1100L-VB
- 商品编号
- C47994035
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 665pF |
商品特性
-沟槽功率MOSFET-最高结温175°C-符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 原边开关