INS2001W

*半导体*晶体管

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品牌名称: Innoscience(英诺赛科)
商品型号: INS2001W
商品编号: C47994720
商品封装: WLCSP-12(1.6x1.6)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)；过压保护(OVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.8V~2.2V
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	35uA
	功能特性	交错导通保护；死区时间控制

商品概述

这是一款100V半桥驱动器，专为高效驱动高侧和低侧氮化镓场效应晶体管而设计。其内部智能自举开关可防止死区时间内高侧浮动电源的自举电容过充，从而保护GaN FET的栅极，并为两侧GaN FET维持一致的栅极电压。该器件提供丰富的故障保护，包括独立的VCC和BST欠压锁定、VCC过压锁定以及过温保护。它具备两个独立的逻辑输入以分别控制高侧和低侧驱动器，提供最大灵活性，且驱动器具有分离输出，可单独调整导通和关断速度。强大的驱动能力和出色的延迟匹配特性使其适用于高功率和高频率应用。

商品特性

独立的高侧和低侧逻辑输入
分离输出，用于可调导通/关断速度
强大的1Ω上拉和0.2Ω下拉电阻
内部强大且智能的自举开关
快速传播延迟（典型值14ns）
出色的延迟匹配（典型值1ns）
高侧浮动电源工作电压高达100V DC
内置UVLO、OVLO、OTP保护
35μA低VCC静态电流
WLCSP 1.62mm×1.62mm封装

应用领域

半桥和全桥转换器
高压同步DC-DC转换器
高频、高功率密度应用
48V DC电机驱动
高功率D类音频功率放大器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	-
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4.3A
	拉电流(IOH)	1.7A
	工作电压	4.5V~5.5V
	上升时间(tr)	7ns
	下降时间(tf)	3ns