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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
F35SQB004G-WWT
4Gbit SPI 型 NAND 闪存
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- 描述
- 是一款 4G 位（512Mx8 位）串行 NAND 闪存，在单 3.3V VCC 上运行。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#），支持高达 166 MHz 的 SPI 时钟频率。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID、唯一 ID、一个参数页和 62 个 OTP 页。芯片内有一个 8 位 ECC 逻辑，默认启用，可通过命令禁用或启用。
- 品牌名称
- FORESEE(江波龙)
- 商品型号
- F35SQB004G-WWT
- 商品编号
- C47994714
- 商品封装
- WSON-8(6x8)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.839533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 350us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 擦写寿命 | 6万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；软件复位功能；复制回写功能；写使能锁存；软件写保护功能 | |
| ECC | 有 |
商品概述
该器件是一款4G位（512M×8位）串行NAND闪存存储器，工作于单3.3V VCC电源。支持标准串行外设接口（SPI）、双路/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持高达166 MHz的SPI时钟频率。支持JEDEC标准制造商和设备ID、ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内部提供默认启用的8位ECC逻辑，可通过命令禁用或启用。
商品特性
- 电源电压：2.7V~3.6V
- 内部ECC关闭时的组织：存储单元阵列：（512M + 32M）字节；页大小：（4k + 256）字节；块大小：64页，（256k + 16k）字节
- 内部ECC开启时的组织：存储单元阵列：（512M + 16M）字节；页大小：（4k + 128）字节；块大小：64页，（256k + 8k）字节
- 串行接口：标准SPI：CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#；双路SPI：CLK、CS#、SIO0-SIO1、WP#、HOLD#；四路SPI：CLK、CS#、SIO0-SIO3
- 高性能：166 MHz标准/双路/四路SPI时钟；页编程时间：350μs（典型值）；块擦除时间：2ms（典型值）
- 低功耗：待机电流：10μA（典型值）；页读取电流：10mA（典型值）；编程/擦除电流：15mA（典型值）
- 高级特性：用于存储阵列的片上8位ECC；软件和硬件写保护；ID；一个4kB参数页；六十二个4kB OTP页；承诺的初始完好块0
- 高可靠性：耐久性：典型60k次循环；数据保持时间：10年