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NP82N055NUG-VB
N沟道；电压：60V；电流：120A；导通电阻：6(mΩ)
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；TO262；N—Channel沟道；60V；120A；RDS(ON)=6(mΩ)@VGS=10V；VGS=±20V；Vth=2.5V；采用Trench技术；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NP82N055NUG-VB
- 商品编号
- C47994038
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 885pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器-DC/AC逆变器-电机驱动器